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专利名称：一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法专利类型：发明专利
发明人：张无迪,高鹏,薛超,刘丽蕊,张清旭,姜明序,石璘申请号：CN201611254346.X申请日：20161230公开号：CN106653950A公开日：20170510
摘要：本发明公开了一种砷化镓‑硅多结高效太阳电池的制备方法；其特征在于：至少包括如下步骤：步骤101、采用扩散或者离子注入的方式制备Si太阳电池；步骤102、制备GaAs太阳电池；步骤103、在Si太阳电池与GaAs太阳电池上分别制备相同尺寸的金属栅线电极作为接触电极；步骤104、使用透明环氧树脂将Si太阳电池与GaAs太阳电池按照接触电极图形对准键合；步骤105、采用衬底剥离复用技术，使用HF酸将AlAs牺牲层腐蚀掉，得到GaInP/InGaAs/Si 3结叠层太阳电池与复用的GaAs衬底；步骤106、制作电池上下电极；步骤107、制备电池减反射膜。
申请人：中国电子科技集团公司第十八研究所
地址：300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号
国籍：CN
代理机构：天津市鼎和专利商标代理有限公司
代理人：李凤
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