铝砷化镓
二极管激光装置由n-型和p-型半导体联接而成， 其激光工作物质为固体状态的砷化镓铝(GaAlAs)，所发出的光具有相干性和单色性，但相对其它激光而言较分散，其波长为 780nm~850nm。
砷化铝是一种半导体材料，它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系，熔点是1740 °C，密度是3.76 g/cm³，而且它很容易潮解。
铟砷化镓
一种材料, 化学符号为InGaAs，主要应用于电子半导体领域，电子在InGaAs中的传输速度是硅的数倍。MIT的MTL（微系统实验室）最近演示了用InGaAs制作的晶体管，传输电流是最先进的硅晶体管的2.5倍。而InGaAs晶体管的尺寸仅仅为60纳米。InGaAs晶体管的优点是能够减少芯片尺寸，提高信息处理的速度.广泛用于探测器!
