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专利名称：一种选择性掺杂异质结太阳能电池专利类型：发明专利
发明人：花国然,王强,孙树叶,朱海峰申请号：CN201310110554.2申请日：20130401公开号：CN103165697A公开日：20130619
摘要：本发明涉及一种选择性掺杂异质结太阳能电池，包括P型晶硅层、N型晶硅层、顶电极、底电极，N型晶硅层的上表面依次淀积有非晶硅层、氮化硅抗反射层，非晶硅层内含有从N型晶硅层扩散入的磷元素，非晶硅层与N型晶硅层之间形成同型异质结，非晶硅层具有容顶电极穿过的槽，氮化硅抗反射层嵌入槽内，非晶硅层与顶电极之间通过所述氮化硅抗反射层绝缘，N型晶硅层的顶电极区为重掺杂区。本结构电池的非晶硅薄膜与电池上表面的结合更紧密，提高了异质结的质量，同时选择性掺杂顶电极区的存在可以进一步减小电池的串联电阻，提高电池的性能。电池中的异质结和选择性顶电极区同步形成，减少了电池的制备工艺步骤，电池中杂质浓度的分布更均匀。
申请人：南通大学
地址：226019 江苏省南通市啬园路9号南通大学电子信息学院
国籍：CN
代理机构：南京同泽专利事务所(特殊普通合伙)
代理人：石敏
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